КТ503Е транзистор NPN (350мА 100В) (h21э: 40-120) 0,35W (ТО92)

Номер: КТ503Г
3,63
Есть в наличии

Імпульсна напруга колектор-емітер Uкео(імп) 100В
Тип біполярного транзистора N-P-N
Тип корпусу транзистора Корпус ТО-92
Коефіцієнт підсилення струму h21э: 50-100
Описание

КТ503Е транзистор NPN (350мА 100В) (h21э: 40-120) 0,35W (ТО92)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб
КТ503А
n-p-n
40 25 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ503Б 40 25 150(350) 0.35 80-240 <=1 =>350 -
КТ503В 60 40 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ503Г 60 40 150(350) 0.35 80-240 <=1 =>350 -
КТ503Д 80 60 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ503Е 100 80 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -

Корпус:
КТ503 package view

КТ503Е
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.183 ТУ/02.

Технические характеристики транзисторов КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ503А n-p-n 0,15 0,35 25 40 5 0,35 40...120 0,6 1 - 5 - 50 - 125 -40…+85
КТ503Б n-p-n 0,15 0,35 25 40 5 0,35 80...240 0,6 1 - 5 - 50 - 125 -40…+85
КТ503В n-p-n 0,15 0,35 40 60 5 0,35 40...120 0,6 1 - 5 - 50 - 125 -40…+85
КТ503Г n-p-n 0,15 0,35 40 60 5 0,35 80...240 0,6 1 - 5 - 50 - 125 -40…+85
КТ503Д n-p-n 0,15 0,35 60 80 5 0,35 40...120 0,6 1 - 5 - 50 - 125 -40…+85
КТ503Е n-p-n 0,15 0,35 80 100 5 0,35 40...120 0,6 1 - 5 - 50 - 125 -40…+85


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики
Імпульсна напруга колектор-емітер
Uкео(імп) 100В
Тип біполярного транзистора
N-P-N
Імпульсний струм колектор-емітер
Iкmax(імп), 350мА
Тип корпусу транзистора
Корпус ТО-92
Коефіцієнт підсилення струму
h21э: 50-100
Отзывы покупателей
Пока нет ни одного отзыва. Оставьте отзыв первым
Написать отзыв
Имя
E-mail
Отзыв
Рейтинг