КТ837М транзистор PNP (7,5А 80В) (h21э 20-80) 30W (ТО220)

Номер: КТ837М
16,50
Есть в наличии

Імпульсна напруга колектор-емітер Uкео(імп) 80В
Тип біполярного транзистора P-N-P
Тип корпусу транзистора Корпус ТО-220
Коефіцієнт підсилення струму h21э: 50-100
Описание

КТ837М транзистор PNP (7,5А 80В) (h21э 20-80) 30W (ТО220)

КТ837С
Транзисторы КТ837С кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ837С:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С
КТ837А p-n-p 7,5 - 70 80 15 1 (30) 10…40 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Б p-n-p 7,5 - 70 80 15 1 (30) 20…80 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837В p-n-p 7,5 - 70 80 15 1 (30) 50…150 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Г p-n-p 7,5 - 55 60 15 1 (30) 10…40 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Д p-n-p 7,5 - 55 60 15 1 (30) 20…80 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Е p-n-p 7,5 - 55 60 15 1 (30) 50…150 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Ж p-n-p 7,5 - 40 45 15 1 (30) 10…40 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837И p-n-p 7,5 - 40 45 15 1 (30) 20…80 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837К p-n-p 7,5 - 40 45 15 1 (30) 50…150 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Л p-n-p 7,5 - 70 80 5 1 (30) 10…40 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837М p-n-p 7,5 - 70 80 5 1 (30) 20…80 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Н p-n-p 7,5 - 70 80 5 1 (30) 50…150 <2,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837П p-n-p 7,5 - 55 60 5 1 (30) 10…40 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Р p-n-p 7,5 - 55 60 5 1 (30) 20…80 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837С p-n-p 7,5 - 55 60 5 1 (30) 50…150 <0,9 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Т p-n-p 7,5 - 40 45 5 1 (30) 10…40 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837У p-n-p 7,5 - 40 45 5 1 (30) 20…80 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Ф p-n-p 7,5 - 40 45 5 1 (30) 50…150 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100
КТ837Х p-n-p 7,5 - 180 180 5 1 (30) >15 <0,5 <0,15 <0,3 <10 >1 - - 125 -60…+100


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики
Імпульсна напруга колектор-емітер
Uкео(імп) 80В
Тип біполярного транзистора
P-N-P
Імпульсний струм колектор-емітер
Iкmax(імп), 7,5А
Тип корпусу транзистора
Корпус ТО-220
Коефіцієнт підсилення струму
h21э: 50-100
Отзывы покупателей
Пока нет ни одного отзыва. Оставьте отзыв первым
Написать отзыв
Имя
E-mail
Отзыв
Рейтинг