КТ814Г транзистор PNP (3А 100В) 10W (ТО126)

Номер: КТ814Г
8,17
Есть в наличии

Імпульсна напруга колектор-емітер Uкео(імп) 100В
Тип біполярного транзистора P-N-P
Тип корпусу транзистора Корпус ТО-126
Коефіцієнт підсилення струму h21э: 100-200
Описание

КТ814Г транзистор PNP (3А 100В) 10W (ТО126)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ814А
p-n-p
40 25 1500(3000) 1(10) 40-275 <=50 =>3 <0.6
КТ814Б 50 40 1500(3000) 1(10) 40-275 <=50 =>3 <0.6
КТ814В 70 60 1500(3000) 1(10) 40-275 <=50 =>3 <0.6
КТ814Г 100 80 1500(3000) 1(10) 30-275 <=50 =>3 <0.6

Корпус:
КТ814 package view

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Характеристики
Імпульсна напруга колектор-емітер
Uкео(імп) 100В
Тип біполярного транзистора
P-N-P
Імпульсний струм колектор-емітер
Iкmax(імп), 3А
Тип корпусу транзистора
Корпус ТО-126
Коефіцієнт підсилення струму
h21э: 100-200
Отзывы покупателей
Пока нет ни одного отзыва. Оставьте отзыв первым
Написать отзыв
Имя
E-mail
Отзыв
Рейтинг