КТ816Б транзистор PNP (3А 45В) 25W (ТО126)

Номер: КТ816Б
5,94
Есть в наличии

Імпульсна напруга колектор-емітер Uкео(імп) 45В
Тип біполярного транзистора P-N-P
Тип корпусу транзистора Корпус ТО-126
Коефіцієнт підсилення струму h21э: 200-300
Описание

КТ816Б транзистор PNP (3А 45В) 25W (ТО126)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ816А
p-n-p
40 40 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <1
КТ816А2 40 40 3000 (6000) 1(25) =>200 <=100 =>3 <0.6
КТ816Б 45 45 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <1
КТ816В 60 60 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <1
КТ816Г 100 90 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <1

Корпус:
КТ816 package view

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Характеристики
Імпульсна напруга колектор-емітер
Uкео(імп) 45В
Тип біполярного транзистора
P-N-P
Імпульсний струм колектор-емітер
Iкmax(імп), 3А
Тип корпусу транзистора
Корпус ТО-126
Коефіцієнт підсилення струму
h21э: 200-300
Отзывы покупателей
Пока нет ни одного отзыва. Оставьте отзыв первым
Написать отзыв
Имя
E-mail
Отзыв
Рейтинг