КТ851В транзистор PNP (3А 180В) 30W (h21э 10-40) (ТО220)

Номер: КТ851В
17,20
Есть в наличии

Імпульсна напруга колектор-емітер Uкео(імп) 175В
Тип біполярного транзистора P-N-P
Тип корпусу транзистора Корпус ТО-220
Коефіцієнт підсилення струму h21э 10-40
Описание

КТ851В транзистор PNP (3А 180В) 25W (ТО220)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ851А
p-n-p
250 200 2000 (3000) (25) 40-200 <=100 =>20 <1
КТ851Б 300 250 2000 (3000) (25) =>20 <=500 =>20 <1
КТ851В 130 180 2000 (3000) (25) =>25 <=500 =>20 <1

Корпус:
КТ851 package view

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер


Производитель Россия

Характеристики
Імпульсна напруга колектор-емітер
Uкео(імп) 175В
Тип біполярного транзистора
P-N-P
Імпульсний струм колектор-емітер
Iкmax(імп), 3А
Тип корпусу транзистора
Корпус ТО-220
Коефіцієнт підсилення струму
h21э 10-40
Отзывы покупателей
Пока нет ни одного отзыва. Оставьте отзыв первым
Написать отзыв
Имя
E-mail
Отзыв
Рейтинг